姓名：许立军

性别：男

邮箱：61383150@qq.com

学位/职称：博士/讲师

出生年月：1983年1月

学科专业：电子科学与技术、集成电路工程

讲授课程：通信原理、数字集成电路分析与设计

本科生课程：通信原理、数字集成电路分析与设计

研究生课程：

研究方向：无结MOSFET模型

出版著作及代表性论文：

[1] 许立军，张鹤鸣.环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究[J].物理学报，2013，62(10)：108502. (SCI三区，卓越期刊)

[2] 许立军，张鹤鸣，杨晋勇.环栅肖特基势垒MOSFET解析电流模型[J].四川大学学报(自然科学版)，2017，54 (3) : 553-556. (中文核心)

[3] 许立军，张鹤鸣，杨晋勇.高k栅介质SOI应变硅肖特基源/漏MOSFET漏致势垒降低效应研究[J].四川大学学报(自然科学版)，2017，54 (4) : 753-758. (中文核心)

主持承担科研项目及经费：

1. 基于维格纳-玻尔兹曼方程的无结纳米片MOSFET模型，3万元，江西省教育厅科技项目，项目编号：GJJ210824，2022.1-2023.12